Source-Substrat-Übergang — ištakos padėklo sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. source substrate junction vok. Source Substrat Übergang, m rus. переход исток подложка, m pranc. jonction source substrat, f … Radioelektronikos terminų žodynas
source-substrate junction — ištakos padėklo sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. source substrate junction vok. Source Substrat Übergang, m rus. переход исток подложка, m pranc. jonction source substrat, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ištakos-padėklo sandūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. source substrate junction vok. Source Substrat Übergang, m rus. переход исток подложка, m pranc. jonction source substrat, f … Radioelektronikos terminų žodynas
переход исток-подложка — ištakos padėklo sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. source substrate junction vok. Source Substrat Übergang, m rus. переход исток подложка, m pranc. jonction source substrat, f … Radioelektronikos terminų žodynas
MOSFET — Transistor à effet de champ à grille métal oxyde Un transistor à effet de champ (à grille) métal oxyde est un type de transistor à effet de champ ; on utilise souvent le terme MOSFET, acronyme anglais de metal oxide semiconductor field… … Wikipédia en Français
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Transistor à effet de champ à grille métal oxyde Un transistor à effet de champ (à grille) métal oxyde est un type de transistor à effet de champ ; on utilise souvent le terme MOSFET, acronyme anglais de metal oxide semiconductor field… … Wikipédia en Français
Transistor a effet de champ a grille metal-oxyde — Transistor à effet de champ à grille métal oxyde Un transistor à effet de champ (à grille) métal oxyde est un type de transistor à effet de champ ; on utilise souvent le terme MOSFET, acronyme anglais de metal oxide semiconductor field… … Wikipédia en Français
Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde — Photographie représentant deux MOSFET … Wikipédia en Français
TRANSISTORS ET THYRISTORS — Dispositif semi conducteur à deux jonctions mis au point, en 1948, par trois chercheurs des Bell Telephone Laboratories (John Bardeen, William B. Shockley et Walter H. Brattain, auxquels on décerna le prix Nobel de physique en 1956), le… … Encyclopédie Universelle
PHOTOPILES SOLAIRES — Les crises successives du pétrole (avec un prix du baril multiplié par 5 en 1973 pour retomber de moitié en 1981) et l’accroissement continuel de la demande d’énergie dans tous les pays du monde (qui suit une loi inexorablement linéaire en… … Encyclopédie Universelle